AI 火热催生 HBM 需求,消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺
AI摘要
路透社表示,三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。
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路透社表示,三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。





